Samsung обяви първата в света DDR4 DRAM памет

Samsung 30nm DDR4 памет

Samsung 30nm DDR4 памет

Днес от Samsung обявиха че са разработили първата в света DDR4 DRAM памет, която е базирана на 30nm-ов производствен процес.

Паметта работи на 2133MHz с напрежение от 1.2V. С използването на нова електронна схема ще може да се постигнат скорости на трансфер от 1.6 до 3.2 Gbps (за сравнение стандартните DDR3 модули имат трансфер от 1.6 Gbps, а стандартните DDR2 модули от 800 Mbps). Новите DDR4 памети използват технологията POD (Pseudo Open Drain) и са с 40% по-ниска консумация в сравнение с тази на 1.5V DDR3 памети.

Между другото първите DDR, DDR2 и DDR3 DRAM памети са все разработени от Samsung. Така че традицията продължава и този път :) . Повече информация вижте в новината в сайта на Samsung.

Източник: expreview.com